6" 8" 12" Oxide wafer

 

	6 “	8”	12”
Thickness	675 ± 25 um	725 ± 25 um	775 ± 25 um
Type	P	P	P
Orientation	<100>	<100>	<100>
Res.	1 ~ 100 ohm-cm	1 ~ 100 ohm-cm	1 ~ 100 ohm-cm
TTV	<50um	<50um	<50um
WARP	<50um	<50um	<50um
Thermal Oxide Layer	1000~10000A± 10%	1000~10000A± 10%	1000~10000A± 10%

 

Thermal(爐管) Oxide(二氧化矽) wafer

熱氧化物或裸矽表面上形成二氧化矽層，在氧化劑的存在下在升高的溫度下，該過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層在水平管式爐中，在溫度範圍從900°C〜1200°C，使用“濕”或“幹”的生長方法。熱氧化物是一種“生長”的氧化物層，相對於CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度，這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備，熱氧化層扮演著重要的角色，安撫矽表面，作為摻雜障礙和表面電介質。

 

產品應用：

1.     蝕刻率測試

2.     金屬打線測試

3.     金屬晶圓

4.     電性絕緣層