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6 “ |
8” |
12” |
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Thickness |
675 ± 25 um |
725 ± 25 um |
775 ± 25 um |
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Type |
P |
P |
P |
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Orientation |
<100> |
<100> |
<100> |
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Res. |
1 ~ 100 ohm-cm |
1 ~ 100 ohm-cm |
1 ~ 100 ohm-cm |
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TTV |
<50um |
<50um |
<50um |
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WARP |
<50um |
<50um |
<50um |
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Thermal Oxide Layer |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
1000~10000A± 10% |
Thermal(爐管) Oxide(二氧化矽) wafer
熱氧化物或裸矽表面上形成二氧化矽層，在氧化劑的存在下在升高的溫度下，該過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層在水平管式爐中，在溫度範圍從900°C〜1200°C，使用“濕”或“幹”的生長方法。熱氧化物是一種“生長”的氧化物層，相對於CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度，這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數矽為基礎的設備，熱氧化層扮演著重要的角色，安撫矽表面，作為摻雜障礙和表面電介質。
產品應用：
1. 蝕刻率測試
2. 金屬打線測試
3. 金屬晶圓
4. 電性絕緣層
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